本例采用第三種方法，即在驅(qū)動(dòng)變壓器的各繞組間加繞屏蔽層，其結(jié)構(gòu)如圖3所示，共5個(gè)繞組和5個(gè)屏蔽層。整個(gè)變壓器包括屏蔽層從左向右逐層繞制，N1接到控制回路的地;兩個(gè)下管驅(qū)動(dòng)繞組由于電位變化不大，同時(shí)與N2連接，實(shí)際上是接到了功率地;N3和N4將上管繞組NA包了起來，并與NA的異名端相接;N5將繞組ND與NA隔離。 　　這樣每個(gè)繞組都和它的屏蔽層同電位，它們之間不會有容性電流。當(dāng)上管TA導(dǎo)通、上管繞組NA的電位跳升時(shí)，屏蔽層N3和N4的電位也要同樣跳變，由于N2和N3之間的分布電容，這個(gè)跳變將在這兩個(gè)屏蔽層中間產(chǎn)生電流，但對管子的驅(qū)動(dòng)沒有影響，只是會耗損一點(diǎn)主功率。 　　在實(shí)際電路中采用了加電磁屏蔽的驅(qū)動(dòng)變壓器之后，問題得到了全部解決。需要提出的是，屏蔽的作用是將各個(gè)繞組隔離開，以避免分布電容的不良影響。因此屏蔽層接到什么地方，是需要慎重考慮的，否則可能適得其反。如果圖3中的NN4不與NA相接，而是與N2一起接到功率地，則電容分布如圖4所示，CC7分別表示繞組NA的上下端與屏蔽層N3間，也就是功率地間的分布電容(實(shí)際上CC7分別是包含了圖2中、C1后的等效電容)。 　　當(dāng)NA輸出正脈沖的上升沿時(shí)，TA迅速導(dǎo)通，M點(diǎn)電位跳升，于是CC7中要有容性電流產(chǎn)生。M是低阻抗點(diǎn)，電流iC7對它的電位影響不大，但N點(diǎn)卻是高阻抗點(diǎn)，iC6電流將降低它的電位，可能使TA管關(guān)斷。因此不能采用這種連接方式。