| 產(chǎn)品參數(shù) | |
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| 產(chǎn)品價格 | 電議 |
| 發(fā)貨期限 | 電議 |
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| 運費說明 | 電議 |
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三星在3月下旬已宣布首次開發(fā)出第三代10nm級（1znm）8Gb雙倍數(shù)據(jù)速率的DDR4。新的1znm DDR4相較于1ynm生產(chǎn)率可提高20%以上，并計劃在下半年開始量產(chǎn)1znm 8Gb DDR4，2020年供貨企業(yè)服務(wù)器和高端PC應(yīng)用的DRAM。
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據(jù)悉，三星是自去年供貨10nm級（1x?）服務(wù)器DRAM給亞馬遜，而DRAM出問題的部分可能在于調(diào)整電壓的柵氧化層(gate oxide)，嚴重時會造成資料損壞，亞馬遜要求，并聯(lián)系其它供應(yīng)商以取代三星有質(zhì)量問題的DRAM。對于DRAM遭退貨的消息，三星基于客戶保密原則，拒絕評論此事。
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